研究紹介
微細MOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの影響
2008 年 77 巻 1 号 p. 41-44
詳細
2008 年 77 巻 1 号 p. 41-44
たった1個のキャリアがMOSFETのゲート絶縁膜中のトラップに捕獲され，あるいはトラップから放出されることによって，しきい値電圧（Vth）が揺らぐランダム・テレグラフ・ノイズ（RTN）は，従来はアナログデバイスで問題とされてきたが，微細化が進むデジタルデバイスでも無視できなくなってきた．本稿では，90nm世代の浮遊ゲート型フラッシュメモリーを用い，RTNによるVth 変動の微細MOSFETへの影響を先行評価した結果を報告する．その評価の結果，RTNが複合化することでVth 変動が重畳し，Vth の大変動が起きることを見いだした．
