研究紹介
MOSFETの負バイアス温度不安定性の微視的メカニズム
2008 年 77 巻 6 号 p. 676-680
詳細
2008 年 77 巻 6 号 p. 676-680
p-MOSFETを高温環境下，ゲート電極に負バイアスを印加した状態に保持した場合に観測される界面準位とゲート絶縁膜中の固定電荷の生成は，負バイアス温度不安定性（Negative Bias Temperature Instability : NBTI）と呼ばれ，CMOS信頼性を左右する実用上きわめて重要な現象である．NBTIのメカニズムに関しては不明な点がまだ多く，実験とシミュレーションによる解析とモデル化が進められている．本稿では，われわれが提案した微視的モデルとこれを用いたデバイス寿命予測について紹介するとともに，最近提案されたプロトン移動モデルについてふれる．
