多元系化合物Cu₂ZnSnS₄ 光吸収層による新型薄膜太陽電池の開発

抄録

本稿では，汎用原料のみで構成できるCu₂ZnSnS₄（CZTS）薄膜を光吸収層に用いた新型太陽電池の研究開発の紹介を行った．CZTSは約1.5eVの禁制帯幅と10⁴cm^-1 台の大きな光吸収係数をもつため，薄膜太陽電池用材料として有望である．研究の主目的は，2004年度に導入されたアニール室付き同時スパッタ装置を用いることで，CZTS薄膜の高品質化および再現性の向上を図り，CZTS薄膜太陽電池の高効率化を達成することである．実験では，プリカーサー作製時および硫化時における，各種パラメーターの最適化を検討した．その結果，本材料系では最高の値となる6.77％の変換効率を達成した．