研究紹介
ホットウォールエピタキシー法によるIV-VI族半導体薄膜・超格子の作製とデバイス応用
2010 年 79 巻 3 号 p. 243-247
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2010 年 79 巻 3 号 p. 243-247
ホットウォールエピタキシー（HWE）法による半導体薄膜・超格子成長とデバイス応用に関する研究は30年以上前から続けられている．ここでは，HWE法によるIV-VI族半導体超格子の成長と赤外線レーザーなどへのデバイス応用を振り返り，最近の熱電応用に関する研究と量子カスケードレーザーに向けた研究の現状について述べる．
