研究紹介
高効率量子タンデム太陽電池
2010 年 79 巻 5 号 p. 435-439
詳細
2010 年 79 巻 5 号 p. 435-439
III-V化合物半導体を用いたタンデム太陽電池は，集光下で40％を超える変換効率を実現しており，大規模太陽光発電のカギとなる技術である．さらなる効率向上には，セル間の電流整合を満たすバンドギャップの組み合わせと格子整合を両立させる必要がある．われわれは，GeあるいはGaAsと格子整合しつつ，1.0〜1.2eVの有効バンドギャップをもつInGaAs/GaAsPひずみ補償量子井戸に注目し，ウエハー曲率の in situ 観察を活用したひずみの精細な制御を達成した．これにより，有機金属気相成長（Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy : MOVPE）による高効率な量子井戸挿入型タンデムセルの製造を目指している．
