解説
ワイドギャップ半導体エレクトロニクス
2010 年 79 巻 8 号 p. 712-713
詳細
2010 年 79 巻 8 号 p. 712-713
SiCやC（ダイヤモンド），GaNなどのIII-V族窒化物半導体，さらにZnOのようなII-VI族半導体など，いわゆるワイドギャップ半導体にはSiやGaAsにはない優れた特長があるため従来の材料ではカバーできない領域のエレクトロニクスへの応用が期待されている．ここではワイドギャップ半導体の結晶成長，デバイス技術，そしてシステム応用に分類し，将来に向けた技術潮流を1枚のメインロードマップに示した．さらにワイドギャップ半導体の優位性を発揮できる領域として特に情報通信エレクトロニクス，エネルギーエレクトロニクス，耐環境・極限エレクトロニクス，生体応用・医療エレクトロニクスの4領域を選んでサブロードマップで示した．
