解説
パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド半導体の開発状況
2013 年 82 巻 4 号 p. 299-304
詳細
2013 年 82 巻 4 号 p. 299-304
ダイヤモンドはその極限性能から，パワーデバイス性能指数がほかのワイドギャップ材料を大きく凌駕(りょうが)し，次々世代デバイスとして期待されている．これまで数mm角の小さい基板サイズや深い準位がネックになって，研究は敬遠されてきた．我々は単結晶をコピーする技術と，それら複数の結晶を接合することにより，モザイク状の単結晶（現在20×40mm2）を実現させ，2inchも視野に入ってきた．また，デバイスも自己発熱したものを冷却せずに，180〜250°Cの高温でそのまま用いることで，出力を下げずに高温，高速，低損失動作の可能性があることを，ショットキーダイオードで例示した．
