最近の展望
シリコンパワーデバイスの技術動向と展望
2013 年 82 巻 4 号 p. 305-308
詳細
2013 年 82 巻 4 号 p. 305-308
シリコン（Si）パワーデバイスは，電力機器向けの半導体素子で，省エネ，創エネ，CO2削減などに有効なパワーエレクトロニクス製品に幅広く適用されてきている．昨今ではその物理的な限界から性能が飽和しつつあるが，新構造の適用（SJ-MOS）や新回路方式に最適なデバイスの開発（RB-IGBT），さらには駆動回路のIC化（HV-IC）などのさまざまな工夫により性能限界のブレークスルーを図ってきている．本稿では，シリコン（Si）パワーデバイスの概要を述べるとともに，最新デバイスであるSJ-MOSFETおよびRB-IGBT，その制御に必要不可欠なパワーICを取り上げ，紹介する．
