解説
IOT時代に向けた超低電圧LSI
2014 年 83 巻 10 号 p. 808-815
詳細
2014 年 83 巻 10 号 p. 808-815
2010年に発足した技術研究組合LEAPは，Internet of Thingsへの応用などを念頭に，LSIのさらなる低消費電力化に貢献するデバイスとして，薄膜SOI基板を用いたSOTBや，抵抗変化を利用した原子移動型スイッチ，磁性変化メモリ，相変化メモリ，そして，カーボンを用いた低抵抗配線技術を開発してきた．量産と同じ300mmウェーハを用いた試作環境を構築し，これらのデバイスを用いたLSIチップが試作できるまでになった．本稿では，低電圧動作という観点でのデバイスの特徴と，LSIで実証した低電力特性について紹介する．
