高移動度（111）B面をチャネルにした三角形状InGaAsトランジスタ

抄録

単純スケーリングによるSiトランジスタの性能向上限界を打破し，CMOS集積回路の高性能化および低消費電力化を実現するためには，新材料・新構造トランジスタの導入が必須である．本稿では，高移動度材料であるInGaAsをチャネルに用いた三角形状トランジスタの試作結果を報告する．有機金属気相成長の際に形成される（111）Bファセットを利用することで，通常の（100）面より高い移動度増大を実現することができた．また，本素子はオフリーク電流低減に有効な立体型トランジスタ構造をとっており，高性能・低消費電力CMOS応用へ向けて大変有望である．