独立行政法人情報通信研究機構 光ネットワーク研究所
2014 年 83 巻 5 号 p. 376-379
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化合物半導体の自己形成量子ドットの高密度積層化の際には，歪(ひずみ)エネルギーの蓄積による結晶品質の劣化が問題となっている．本稿では，歪補償法を用いた自己形成InAs量子ドットの超高密度形成技術を解説し，光通信波長帯デバイスへの応用を紹介する．
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