大阪府立大学 21世紀科学研究機構
2014 年 83 巻 6 号 p. 448-451
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近年,シリコンを用いた光デバイスの開発が活発化している.間接遷移型半導体であるシリコンでは,光技術の源となるレーザー光を発生させることが困難とされてきたが,誘導ラマン散乱を用いた光励起型のレーザーが開発され注目されている.本稿では,高Q値フォトニック結晶ナノ共振器を用いた超低閾(しきい)値のシリコンラマンレーザーについて紹介する.
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