最近の展望
タンタル酸化物を用いた抵抗変化型メモリの開発
2014 年 83 巻 8 号 p. 651-654
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2014 年 83 巻 8 号 p. 651-654
不揮発性メモリの信頼性保証には，そのモデルを確立しておくことが不可欠である．今回，導電性フィラメント内の酸素欠陥濃度の制御が，抵抗変化型メモリの良好なデータ保持特性に必要であることを明らかにした．また，低電流駆動においても酸素欠陥濃度を高く保つためには，導電性フィラメントを細線化する必要があると考えた．TaOx 層の負荷特性を利用することにより導電性フィラメントを細線化し，これにより80 µAの低電流駆動においても150°Cで1000時間以上の良好なデータ保持特性を得ることに成功した．
