解説
走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）による半導体微細構造の高分解能評価
2016 年 85 巻 7 号 p. 560-567
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2016 年 85 巻 7 号 p. 560-567
走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）は10-22Fという極微小な静電容量変化に対して検出感度があるため，pnの区別が容易で，低濃度から高濃度までの非常に広い範囲でドーパント分布を検出できる．Siに比べて信号強度の弱い化合物半導体のドーパントも高SNで計測可能である．またdC/dV計測で問題となる2価関数性（コントラストリバーサル）も回避することができる．高階の容量-電圧微係数も計測でき，計測ピクセルごとに局所C-V曲線も取得可能である．超高真空中では原子分解能観察も可能である．これらの特長は全てSNDMの群を抜いた高感度特性からきている．本稿ではSNDMによる半導体評価技術とその応用計測例について紹介する．
