研究紹介
Niメッキによる高生産性パワーデバイス接合技術
2017 年 86 巻 2 号 p. 112-116
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2017 年 86 巻 2 号 p. 112-116
半導体の実装技術，とりわけチップ導電接続技術については，近年デバイスの高速化，小型化，高密度化への要求から，技術革新が急速に進展している．パワーデバイスにおいても，高性能化，高耐熱化，大容量化への対応，特にSiC，GaNなどのワイドバンドギャップ半導体には新たな接続技術が求められている．ここでは，高耐熱，耐腐食性に優れたNi材料に着目した接続技術の研究開発について紹介する．Niは表面の酸化膜が安定であるため，固相接合は一般に困難である．接合材料としては，800°C以上の高温でのろう付け合金主成分として用いられてきたが，半導体などの導電接続技術として検討した例はほとんど見られない．Niは融点が1460°Cであるが，メッキプロセスは数十°Cでありながら，最適条件下で被着されれば，密着性，耐食性，拡散バリヤ性に優れている．連続ラインでのメッキ接続が可能となれば，高生産性，低コスト化が期待できる．SiCデバイスの接続に応用し，300°C以上の高温特性を測定した例も示す．
