研究紹介
(100)面方位制御した超高移動度シリコン薄膜トランジスタの開発
2018 年 87 巻 6 号 p. 421-425
詳細
2018 年 87 巻 6 号 p. 421-425
レーザー光の局所照射により形成した多結晶シリコン薄膜によるトランジスタは，フラットパネルディスプレイの画素スイッチや周辺回路として用いられてきた．多結晶シリコン薄膜トランジスタには，より高移動度かつ低い素子間特性バラつきが求められ，その理想形として，移動度の高い特定の結晶面方位への制御がある．ライン状強度分布をもつ連続発振レーザーを用いることで，面方位制御を行い，電子電界移動度1000cm2/Vsを超える超高移動度シリコン薄膜トランジスタを実現したので紹介する．
