解説
Si基板に格子整合したIII‐V‐N混晶の成長とデバイス応用
2018 年 87 巻 7 号 p. 494-500
詳細
2018 年 87 巻 7 号 p. 494-500
シリコン（Si）基板上への，化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長について，近年の評価技術の進歩により，かつては推測で議論されていた現象を実際に観測することが可能となっている．このことにより，Si基板上に低転位のGaPテンプレートが実現され，Siと格子整合するIII‐V‐N混晶によるバンドギャップエンジニアリングや導電性制御が達成され，デバイス応用が現実のものとなりつつある．本稿では，III‐V/Si成長時のキーテクノロジーとなるSi表面制御，欠陥抑制のための表面核形成制御技術，Siと格子整合するGaAsPN混晶の成長と導電性制御，およびデバイス応用に向けた取り組みについて解説する．
