研究紹介
自己組織化有機単分子膜を用いた界面制御とゲート絶縁膜技術
2018 年 87 巻 7 号 p. 511-515
詳細
2018 年 87 巻 7 号 p. 511-515
自己組織化単分子膜（SAM）を用いたMoS2 FETの界面制御およびゲート絶縁膜技術について報告する．ゲート絶縁膜は酸素プラズマや酸素ラジカルによって形成した金属酸化膜表面にホスホン酸SAMが形成している2層構造から構成される．未結合手のない2次元有機結晶膜であるSAMをゲート絶縁膜に用いることで，絶縁膜／半導体界面における化学反応，原子拡散や構造欠陥の問題を一気に解決し，急しゅんかつ平たんな界面の形成に成功した．作製したMoS2 FETのId‐Vg特性にヒステリシスなく，サブスレッショルドスロープ値も69mV/decであり，150°C以下の低温作製プロセスにもかかわらず良好な界面特性を実現した．
