研究紹介
レーザートムソン散乱によるEUV光源用プラズマの計測と制御
2020 年 89 巻 5 号 p. 260-264
詳細
2020 年 89 巻 5 号 p. 260-264
最近のレーザートムソン散乱（LTS）計測の事例として，半導体露光用極端紫外（EUV）光源用プラズマの構造解明研究を紹介する．本研究では計測用レーザーからの迷光を低減しつつ，電子温度の検出下限を従来システムから2桁程度向上させた．これにより協同散乱のイオン項を検出し，電子密度・温度，平均イオン価数の計測を可能とした．直径0.5mm以下のサイズである光源の電子密度・温度の2次元空間分布・時間進展を調べると，EUV発光効率がよい生成条件では，特徴的な中空様の電子密度構造をもつことがわかった．LTS計測を行えば，多価電離プラズマからのEUV光出力の高低が，電子密度・温度状態にまで立ち返って評価可能となることを示す．
