研究紹介
化合物半導体の高速成長と太陽電池応用
2020 年 89 巻 6 号 p. 333-337
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2020 年 89 巻 6 号 p. 333-337
ガリウムヒ素（GaAs）などのIII‐V族化合物太陽電池は高い変換効率を生かして車載や通信用無人航空機などへの新規応用が検討されているが，製造コストの低減が課題である．本稿では，(国研)産業技術総合研究所で開発を進めているハイドライド気相成長（HVPE）法を用いた低コスト成長技術の進展を紹介する．開発したHVPE装置において，ほかの成長法では実現が困難な100µm/h以上の超高速成長を高い原料利用効率で可能にした．また，高速成長においても良好なトンネル特性を有する極薄膜のトンネル接合，高品質なInGaP/GaAs 2接合セルの作製を可能にした．HVPE成長技術は，次世代の低コスト・超高効率多接合太陽電池作製のキーテクノロジーとして大いに期待される技術である．
