総合報告
全方位フォトルミネセンス（ODPL）分光法を用いた半導体結晶の評価
2021 年 90 巻 12 号 p. 726-737
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2021 年 90 巻 12 号 p. 726-737
本稿では，全方位フォトルミネセンス（ODPL）分光法を用いた直接遷移型半導体の評価について紹介する．ODPL分光法は半導体自立結晶のバンド端近傍発光のうち，自己吸収が生じるエネルギーをもつ光が結晶表面の法線方向に強く放射される性質を利用して，外部量子効率から内部量子効率（IQE）をモデル計算なしに決定できる特徴をもつ．窒化ガリウムや酸化亜鉛，ハロゲン化金属ペロブスカイトなどを例に，具体的なIQE決定の手順や応用例について述べる．特に，積分球よりも大きな結晶試料を球外に設置して測定できることはODPL分光法の大きな特徴の1つであり，半導体ウェーハ全面のマッピング測定や，各種非線形分光，顕微鏡分光などとも組み合わせることも期待できる．
