研究紹介
SiCパワーデバイスを用いた超高電圧機器開発とその医療応用
2021 年 90 巻 12 号 p. 744-747
詳細
2021 年 90 巻 12 号 p. 744-747
SiCパワーデバイスはその物性特性から，MOSFETを作製した際に，既存デバイスと比較して低損失・高速スイッチング・高耐圧・高温動作などの優位性をもつ．その中で，我々は高速スイッチングと高耐圧の優位性に着眼した．高電圧下で高速にスイッチングできるデバイスで実用化されているものはSiC MOSFETだけである．この優位性を生かすような応用開発により，これまで半導体では実現不可能であった，または実現していても大きな問題があった応用に適用が期待できる．我々はSiCパワーデバイスの優れた特性を利用することにより，超高電圧機器のこれまでなかった高速動作を可能にする手法を提案し実証を行った．これにより，これまでの半導体では成しえなかった分野への半導体応用が期待される．
