研究紹介
ガスクラスタイオン照射を用いた原子層エッチング
2021 年 90 巻 4 号 p. 239-243
詳細
2021 年 90 巻 4 号 p. 239-243
数千個のガス原子・分子が集団となったガスクラスタイオンビーム（GCIB）は，数eV程度の超低エネルギーイオンにもかかわらず高密度のエネルギーを表面近傍に付与するため，低損傷かつ低温での表面反応の促進を可能にする．我々はGCIB照射の特長を生かし，原子レベルの高精度加工技術として再注目されている原子層エッチング（ALE）への応用を検討している．本稿では，反応性分子として有機酸やジケトン分子を吸着させた金属膜にGCIB照射を行い，低温・ハロゲンフリーのALEを行った研究について紹介する．
