最近の展望
IV族材料薄膜の低温合成技術
層交換現象とその応用
2021 年 90 巻 7 号 p. 414-418
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2021 年 90 巻 7 号 p. 414-418
今，ありとあらゆるところに電子的機能を付与する技術が強く求められている．この鍵となるのが「絶縁体上における機能性薄膜の低温合成」である．IV族材料（Si，Ge，Cなど）は環境調和型のエコマテリアルであり，我々に身近な電子材料として好適である．本稿では，IV族材料の低温合成技術の中でも特にユニークな「層交換」にフォーカスする．現象のメカニズムからデバイス応用に至るまで，20年以上に及ぶ層交換の研究と最近の展望を包括的に紹介する．
