応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
SIT における高周波化，高出力化
西澤 潤一
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1984 年 53 巻 2 号 p. 115-119

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抄録
SITは短チャネルFETとみることもでき,ベース抵抗のないBPTと考えることもできる.結果として非常に高周波まで働く.ISITといって非常に電位の山の厚味が薄くなって電子がほぼ衝突なく抜けられるようになったとき,780GKz程度の遮断周波数となる.さらにソースをトンネル接合とすることによって,THz帯の動作が期待できる,並列化によって大電力がとれる,SIサイリスタも高速低損失で,大いに期待できる.
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© 社団法人 応用物理学会
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