化学スパッタリング

曽根 和穂; 山田 禮司

doi:10.11470/oubutsu1932.53.217

抄録

最近,核融合装置の第一壁は,JT-60の例からもわかるように,低Z材料(炭素材料, SiC, Ticなど)を使用することが普通になってきている.しかし低Z材料では,水素と化学反応して損耗していく化学スパッタリングが無視できない場舎が多い.ここでは,これらの材料における化学スパッタリング研究の最近の動きについて,筆者らの研究をまじえながら解説する.また,高融点金属の代表であるタングステンをダイバーター板として綾用する場合の,酸素との反応についても著干ふれる.

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