応用物理
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GaAsのストイキオメトリーの評価
X線準禁制反射法
藤本 勲
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1984 年 53 巻 7 号 p. 633-638

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抄録

X線準禁制反射強度の測定により,GaAs結晶のストイキオメトリーの評価が,CAa-CGa~3×10-5の精度で可能となった.この方法により,EC結晶はHB結晶に比べ5×10-4もAs原子面の濃度が高いこと,面内外布が転位密度と相関をもつことを明らかにした.さらに,熱変成やエピタキシャル結晶(LPE,MBE)のストイキオメトリーからのずれの成長条件依存性を明らかにし,その有効性を示した.

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© 社団法人 応用物理学会
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