マスクレスイオン注入技術

応用物理

Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009

マスクレスイオン注入技術

GaAsへのBeおよびSi注入

橋本寿夫, 宮内榮三

著者情報

ジャーナルフリー

1984 年 53 巻 8 号 p. 704-708

DOI https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.53.704

詳細

抄録

新しい半導体素子製作プロセス技術のマスクレスイオン注入を取り上げ,GaAs中へのBeおよびSi注入を中心にして本技術を紹介する.また将来への展望,実用化への研究課題についても触れる.

著者関連情報

© 社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

発行機関からのお知らせ

会員の方へ：PDFファイル閲覧用の購読者番号とパスワードは会員マイページでご確認いただけます。

Top