レーザー単原子層制御結晶成長の機構と応用
1988 年 57 巻 11 号 p. 1728-1733
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1988 年 57 巻 11 号 p. 1728-1733
可視,紫外域のレーザー照射により,有機金属を原料ガスとしてGaAs, AlAsのIII-V族化合物半導体の単原子層制御結晶成長 (atomic layer epitaxy: ALE) が可能である.レーザー照射を利用したALE (レーザーALE) では,レーザー照射の効果は熱効果ではなく,表面光化学反応が主である.本稿では,レーザーALEにおける表面反応機構ならびに,レーザーALEの応用例に関して記す.
