応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
GaAsの原子層エピタキシャル成長における光励起効果
真下 正夫, 川久 慶人, 佐々木 正洋, 石川 博規
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1990 年 59 巻 8 号 p. 1065-1069

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抄録
MOCVDを用いたGaAsのALE成長にKrFエキシマレーザーを照射するとALEの成長温度範囲が拡大する.照射効果は熱的ではなく,光化学的であることを実験結果は示している.光励起の機構として吸着層励起と表面励起の可能性をとりあげ考察する.特に吸着層励起にたいしては吸着層の光吸収スペクトルの測定結果を用いてALEの光励起効果を説明する.
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© 社団法人 応用物理学会
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