InGaAs系ヘテロ接合バイポーラトランジスタのパワー素子への応用
1997 年 66 巻 2 号 p. 156-160
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1997 年 66 巻 2 号 p. 156-160
近年の移動体通信の急速な発展に伴い,端末である携帯電認に対するデバイスとしにの要求も厳しくなってきている.その要求の一つに低電圧動作がある.InGaAsはバンドギャップがGaAsに比べ小さく低電圧勤作を考えた時,非常に有望な材料である.このInGaAsの長所をいかしたInGaAS系HBTは低電圧単一電源での高効率のマイクロ波増幅が可能であり,次世代の携帯端末におけるキーデバイスとなる可能性を秘めている.本稿では,携帯端末用低電圧パワーデバイスとして今まで進めてぎたInGaAs系HBTのデバイス構造,プロセス技術に関する研究を概説するとともに今後のInGaAs系HBTの可能性について検討する.
