抄録
DRAMの高集積化のカギであるキャパシターの集積技術は,複雑化された電極の立体化とON膜の薄膜化により実現されてきた.近年においては, ON膜が限界領域に達してきたため,高誘電率キャパシター絶縁腰の適胴が検討され, LPCVD・Ta2O5膜が実用化されるに至っている.これは,良好な被覆段差特性, Ta有機原料の容易な制御性,さらには多結晶シリコン蓄積電極を用いた既存プロセスと整含性が高いためである.本報告では, LPCVD・Ta2O5膜の特性改毒, DRAMデバイスおよびMIM構造への適用について説明し,最後に今後の課題について述べる.
