日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
第15回秋季シンポジウム
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直接窒化反応を利用したAlNの低温合成
入江 正樹亀島 欣一岡田 清安盛 敦雄
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p. 187

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抄録
直接窒化反応を利用したAlNの合成温度を下げるために、Al粉末とLi塩の混合物を窒素雰囲気下, 500∼1000℃で熱処理した. 乳鉢による混合のみの試料と, 更にこの試料を窒素雰囲気下で遊星ボールミルした試料を用意した。LiOH·H2Oを1.9mol%添加した試料では, それぞれ630℃, 580℃で窒化を開始した. これらの温度はAlの融点よりも低い温度である。この反応には以下の2点が寄与していると考えられる。1つはAl粉末表面に形成されるリチウムアルミネート層が窒素拡散経路となり, 窒化を促進する点である. もう1つは遊星ボールミルによりAlの微細化とアルカリ塩との混合の均質化が起き, より低温での窒化反応が可能になった点である.
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©  日本セラミックス協会 2002
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