InGaO₃の熱電変換特性

抄録

第一原理に基づくバンド計算による材料計算技術を適用して、InGaO₃が熱電変換特性を有していることを見出した。InGaO₃は層状構造を持つn型半導体であり、ゼーベック係数は220μV/K(100-1000℃)、導電率は40-27S/cm(600-1050℃)、熱伝導率は2.6W/m·K(1000℃)であった。これらより算出される無次元性能指数ZTは0.07(1000℃)となり、実用材料としては低い値であるが、この材料は高温までの使用が可能である等、高いポテンシャルを持っていると考えられた。また、熱電変換材料の材料設計に対して、第一原理に基づく材料計算技術の有効性が明らかとなった。