抄録
モル比Si(OC2H5)4:H2O:HNO3:C2H5OH=1:4:0.01:8なる溶液を調製し, 室温で1h攪拌してコーティング液とした。シリコン単結晶を基板とし, 900∼3400rpmのスピンコーティングによってゲル膜を作製し, 近赤外集光加熱炉中で10℃/minの速度で昇温した。昇温過程の試料について, 光学顕微鏡によるその場観察を行った。ただし, ゲル膜の成膜と加熱は湿度を調節したグローブボックス内で行った。その結果, いずれの基板回転速度のもとで作製した膜においても, 成膜·昇温時の湿度が高いほど亀裂発生が低い温度でおこることがわかった。成膜·昇温時の湿度の増加に伴って膜厚が若干小さくなる傾向が見られる一方で, 膜の気孔率には大きい変化は見られなかった。
