インスタント固相エピタキシャル法による自然超格子酸化物InGaO₃(ZnO)_m単結晶薄膜の作製(I)

抄録

我々は自然超格子酸化物の単結晶薄膜を作製するための魔法のような方法“反応型固相エピタキシャル成長法”を開発した。なんと単結晶薄膜が電気炉の中でできてしまうというユニークかつEASYな方法である。具体的には, 2nm厚の一構成成分のエピタキシャル層とほとんどアモルファス状態の自然超格子酸化物層からなる二層膜を電気炉で焼くのである。これだけでほぼ完壁な単結晶自然超格子薄膜を作製することができる。本報告では, 我々の反応型固相エピタキシャル成長法を自然超格子酸化物InGaO₃(ZnO)_mを例にとって紹介する。