日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
第15回秋季シンポジウム
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通電加熱とテルミット反応により成長したZnO結晶成長のPL特性
湊 賢一根崎 大岡元 智一郎高田 雅介
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p. 393

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抄録
ワイドバンドギャップ(3.37eV)を有し、励起子の束縛エネルギーが約60meVと室温でも励起子が安定に存在し得る酸化亜鉛(ZnO)は、室温紫外レーザー材料として注目されている。最近、我々の研究グループは、線材状のZnOセラミックスを通電加熱させた際に、その表面に種々の形態を有するZnO結晶が成長する現象を見出した。得られるZnO結晶の形態は通電加熱時の雰囲気や温度に深く関係する。アルミニウム(Al)はテルミット反応として知られているように、酸化する際に高熱を発する。本発表では、光機能素子への応用を目的として、通電加熱中にテルミット反応を起こさせた場合に成長するZnO結晶のフォトルミネッセンス(PL)特性を調査した。
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©  日本セラミックス協会 2002
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