抄録
水熱法によるTa基板上へのタンタル酸カリウム薄膜の成長を調べた. 合成にはハステロイ-Cまたはテフロン内筒付マイクロオートクレーブを用いた. これらに1-8M KOH水溶液とTa基板を入れて密閉し, 150°-400℃の水熱処理を4-48h施した. また, 水熱電気化学合成にはTa基板(作用電極), Pt板(対向電極), Ag/AgCl電極(外部参照電極)を備えたテフロン内筒付オートクレーブを用い, 150°-250℃の水熱処理とともに定電位電解処理を施した. 処理温度が200℃以下の場合はK2Ta2O6膜が生成した. 300℃でKOH濃度を約2.0M以上にしたときにKTaO3単相膜が得られた. KTaO3相の格子定数はPDF#38-1470の値とほぼ一致した.
