抄録
電界効果トランジスタのゲート酸化膜として, 強磁性体薄膜Ni0.17Zn0.20Fe2.64O4(NZF)を, バッファー層[3%Al2O3-MgO]/CeO2/[8%Y2O3-ZrO2]を介して成膜した, 新しい不揮発性メモリーの提案を行った. 積層した薄膜の厚さはそれぞれ, 180, 10, 10, 10nmで, すべての層がエピタキシャル成長していた. 積層した薄膜をフォトリソグラフィーと湿式エッチングでゲート上のサイズで100μmx100μmに形成した. 得られたデバイス構造体磁性体薄膜部を, 外部磁界により面内方向の異なる方向に磁化した. ゲート電圧を可変しながらソース-ドレイン間の電流(ドレイン電流)を測定したところ, ゲート電圧が4.0∼5.0Vの時, 磁性体の磁化方向によってドレイン電流が約400μA程度変化し, メモリー動作が示唆された.
