抄録
強磁性体薄膜の残留磁化によってMOSトランジスタのI_D-V_D特性の変調を目指した動作可能性を検討した. 演者らはこれまで, 外部磁場がMOSトランジスタに与える影響について調べてきた. 今回はMOSトランジスタのゲート部にMnZnFe2O4薄膜, CeO2/YSZバッファー層導入エピタキシャルMnZnFe2O4薄膜をPLD法により成膜し, エッチング·リフトオフプロセスを用いて成形した. 強磁性体薄膜の残留磁化が与えるMOSトランジスタのソース∼ドレイン間電流(I_D-V_D特性)への影響について調べたので報告する.
