近接昇華型CVD法によるZnOの合成

抄録

ビス(2, 4-ペンタンジオナート)亜鉛[Zn(C₅H₇O₂)₂]を原料として近接昇華型化学気相析出法により酸化亜鉛膜を合成した。膜の析出速度は基板温度の上昇にともない0.58から147nm/minへと指数関数的に増加した。基板温度300℃, 基板—気化容器間距離5.0mmにおいて合成した膜はc軸方向に非常に高い優先配向成長していることがわかった。