抄録
溶液中においてカチオン性保護剤の存在下でAgイオンを還元することによりカチオン性Agナノ粒子を調製した。またびi基板表面全体をカチオン性自己組織膜(SAM)で修飾した。このSi基板に導電性プローブを用いてAFMにより電圧を印加して陽極酸化し、局所的にシリコン酸化物を形成させた。その後、基板を高濃度のAgナノ粒子分散水溶液に浸漬し、陽極酸化によりシリコン酸化物を形成した部分にのみ選択的にAgナノ粒子を配列させることに成功した。Agナノ粒子はカチオン性であり、かつ、水溶液中でゼータ電位が負であるシラノール基と静電引力および、カチオン性のSAMとの静電反発により、選択的に配列されたのである。
