日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
2003年年会講演予稿集
セッションID: 2D27
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Analysis of firing processes of sol-gel derived hafnia films by temperature programmed desorption
*矢部 貴行西出 利一志智 雄之
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抄録
本研究は、ゾル-ゲル法からハフニアゲル膜を作製し、その焼成プロセスを昇温脱離法(TPD) により解析することを目的とした。ハフニアゲル膜の焼成過程において脱離ガスによるTPDカーブが650℃までに観測された。それらはH2O、O2、NO および NO2 に帰属された。H20(M/z=18)のTPDカーブは78℃、108℃および125℃にピークが観測された。H20の脱離温度が200℃以下と低いので、 観測されたTPDカーブは物理吸着水によると考えられる。O2(M/z=32)のTPDカーブでは265℃および570℃にピークが観測された。これらはゲルから直接脱離したO2に対応していると考えられる。また、ゾル液作製過程で用いたHNO3は主にNO およびNO2として370℃以下で脱離することが分った。ハフニア薄膜のHf:O 組成をXPSにより調べた。ゲル膜のHf:Oは1:2.22であったのに対し、 650℃焼成後の薄膜のそれは1:1.84であった。
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©  日本セラミックス協会 2003
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