抄録
(BaSr)TiO3を代表とするペロブスカイト高誘電体薄膜は長年にわたり、GHz帯でのオンチップデカップリングキャパシタ、チューナブルデバイス及び次世代DRAM用のキャパシタ材料としての開発が行われてきた。しかしながら、一部市場では既に実用化されているものの、技術課題も多く、更なる特性改善、そして最も重要な長期信頼性の確保のためには薄膜特有の誘電率低下、高周波誘電損失、リーク電流、及び多量の界面を含めた準安定欠陥生成等の機構解明が強く求められている。本報告では，高誘電体（BaxSr1-x)TiO3 膜を用いた高周波対応パラレルプレート型キャパシタの開発上の課題，および現状技術について報告する。
