日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
第17回秋季シンポジウム
セッションID: 1A11
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昇温脱離ガス分析法で得られたCVD膜からの脱離成分
*川口 晋之介齋藤 秀俊大塩 茂夫
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抄録
大気開放型CVD装置は同じ原料から出発したとしても、適切な条件を選択する事によりウイスカーや連続膜など、形状の異なるCVD膜を作製する事ができる。赤外線吸収スペクトルなどで検知できないほどの極めて微かに存在する残留成分が膜中に存在しCVD膜形状や結晶性に大きな影響を与えると考えられる。本研究では昇温脱離ガス分析(TDS)法によりこの極微量残留成分を高真空中で離脱させて分析した。この結果として、連続膜とウイスカーでは膜内に残留する成分として水の量に違いが現れた。この事はCVD膜の形状は大気中の水分や出発原料に含まれる水分に大きく影響される事を示している
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©  日本セラミックス協会 2004
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