抄録
FET型強誘電体メモリに適用することを目的として、強誘電体としてYMnO3系材料を、絶縁体としてHfO2を用い、MFIS（金属／強誘電体／絶縁体／半導体）構造を作製した。化学溶液法によりSi半導体基板上にHfO2層を製膜し、薄層化のための製膜条件を検討するとともに、微構造や電気的特性の評価を行った。さらに、HfO2層上にYMnO3系強誘電体膜を製膜し、強誘電体膜の結晶相や配向性、微構造を評価した。また、MFIS構造におけるリーク電流特性、容量_-_電圧特性等の電気的特性を評価し、HfO2層の膜厚や製膜条件による影響を調べた。
