抄録
近年、強誘電体材料の光学特性に関する研究が盛んに行われており、その中でもPMN-PTは高い電気光学効果を持っており光学材料としての応用が期待されている。LSCO/CeO2/YSZをバッファー層として導入することでPMN-PTをSi基板上にエピタキシャル成長させることを試みた。その結果、LSCOと同じ成膜温度でPMN-PTを成膜することでエピタキシャル薄膜を作製できた。さらにマスクなどを用いることで、成膜速度は非常に低下するがドロップレットのない薄膜を作製した。また、導波路として面内に光を通すためには2μm以上の膜厚が必要であり、より厚く平滑な膜を作製することが可能な方法を現在検討中である。
