MOD法により作製したCuO薄膜のRRAM特性

抄録

複数の大きく異なった抵抗状態を電圧によって制御する不揮発性メモリーであるRRAM(Resistance-RAM)が、次世代メモリーとして近年注目されている。しかしRRAMの動作原理については不明な部分が多く、素子作製プロセスもスパッタ成膜によるキャパシタ構造での報告が主である。我々はRRAM現象の普遍性を確認するためMOD法による成膜でプラナー型のRRAM素子を作製することを試みた。熱酸化SiO2付きSi基板の上にCuO薄膜を形成し、この上にAu/Cr電極を蒸着することでプラナー型電極をもつRRAM素子を作製した。この構造においてCuO膜のメモリー特性を観測することに成功した。当日は平行平板型の利点を活かした四端子測定や動作電圧の電極間距離依存性について報告する予定である。