ハイドロキシアパタイトの点欠陥形成機構に関する第一原理計算

抄録

ハイドロキシアパタイト結晶における点欠陥の電子状態について第一原理バンド計算法による解析を行った。スーパーセルを用いた点欠陥の全エネルギー計算値から，点欠陥形成エネルギーを求め，そのpH依存性を調べた。また，酸性水溶液環境で重要と考えられる格子間プロトンについても検討した。その結果，プロトン導入によりカルシウムイオン空孔形成が安定化されることが判明し，pH低下にともないハイドロキシアパタイト結晶中のカルシウムイオン空孔濃度が急増する傾向が得られた。