抄録
マイクロモーターやマイクロアクチュエータの動力源として期待されているNdFeB系薄膜磁石をSi半導体基板上に合成した。マイクロマシンのナノ加工技術を利用するには,半導体基板上への薄膜磁石の合成は不可欠である。ポストアニーリングの手法を用いて,アモルファス薄膜をスパッタで蒸着したのち,赤外線加熱で結晶相を析出させた。この方法は,粒径を単磁区サイズに制御することが容易で保磁力が向上できる。アモルファス相を蒸着する段階で,結晶が析出しない範囲で基板を加熱するとアニール処理での結晶析出のさいにの結晶成長方向c-軸配向性が現れる傾向がみられるため,本研究では,基板温度に異存した結晶配向性と磁気特性の変化を考察する。